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Irf1404: Mosfet Potencia Y Fiabilidad (2 Unidades)
Descripción General\nTipo de Dispositivo: MOSFET de canal N (HEXFET®)\nTecnología: Séptima generación, diseñada para baja RDS(on) y alta velocidad de conmutación\nEncapsulado: TO-…
Información técnica
Descripción General\nTipo de Dispositivo: MOSFET de canal N (HEXFET®)\nTecnología: Séptima generación, diseñada para baja R_DS(on) y alta velocidad de conmutación\nEncapsulado: TO-220AB\nMáximos Absolutos (según el documento mostrado)\nVoltaje Drenaje-Fuente (V_DS): 40 V\nCorriente de Drenaje Continua (I_D) @ T_C = 25 °C: 202 A\nCorriente de Drenaje Continua (I_D) @ T_C = 100 °C: 143 A\nDisipación de Potencia (P_D) @ T_C = 25 °C: 300 W\nTensión de compuerta a fuente (V_GS): ±20 V (máximo)\nOtras Características Clave\nBaja Resistencia en Conducción (R_DS(on)) para reducir pérdidas de potencia (consultar hoja de datos para el valor exacto, típico alrededor de los milliohmios).\nAlto Factor de Seguridad y Robustez en modo avalancha.\nRápida Conmutación, adecuada para aplicaciones de alta frecuencia o conmutación de potencia.\nAplicaciones Típicas\nFuentes conmutadas (SMPS)\nInversores y convertidores de potencia\nControl de motores y cargas de alta corriente\nAplicaciones industriales y automotrices (donde se requiera alta corriente y bajo R_DS(on))