Pack 2x Irfp264n Mosfets: Potencia Máxima Y Eficiencia

Información técnica

especificaciones del IRFP264N:\nTipo: MOSFET de potencia, N-Channel\nVoltaje de drenaje-fuente (VDS): 250V\nCorriente de drenaje (ID): 47A (a 25°C)\nResistencia de encendido (RDS(on)): 0.075 ohmios (típico, a VGS = 10V)\nVoltaje de compuerta (VGS): ±20V (máximo)\nDisipación de potencia (PD): 300W (máximo)\nCapacidad de carga de compuerta (Ciss): 7300 pF\nEncapsulado: TO-247\nTemperatura de operación: -55°C a +175°C\nTiempo de conmutación:\nTiempo de encendido (ton): 38 ns (típico)\nTiempo de apagado (toff): 83 ns (típico)\nConfiguración de pines:\nDrenaje (Drain): Pin central y parte metálica del encapsulado\nFuente (Source): Pin derecho\nCompuerta (Gate): Pin izquierdo