Potencia
Pack de 2 Transistores MOSFET IRF640N 200V 18A en Encapsulado TO-220
$160
15 unidades disponibles
Este pack incluye 2 transistores MOSFET IRF640N de canal N, diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Cada MOSFET ofrece una baja resistencia en estado de enc…
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Información técnica
Este pack incluye 2 transistores MOSFET IRF640N de canal N, diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Cada MOSFET ofrece una baja resistencia en estado de encendido (Rds(on)) y es capaz de manejar corrientes de hasta 18A y voltajes de hasta 200V, lo que los convierte en una excelente opción para controladores de motor, fuentes de alimentación conmutadas, y otras aplicaciones de conmutación de alta potencia.
Características eléctricas:
Tipo de transistor: MOSFET de canal N
Voltaje de drenaje-fuente (Vds): 200V
Corriente de drenaje (Id): 18A
Resistencia en estado de encendido (Rds(on)): 0.18 ohmios
Voltaje de compuerta-umbral (Vgs(th)): 2.0V a 4.0V
Encapsulado: TO-220
Cantidad: 2 unidades
Aplicaciones:
Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
Controladores de motor
Convertidores de potencia DC-DC
Amplificadores de clase D
Este pack de 2 MOSFETs IRF640N es ideal para proyectos que requieren conmutación rápida y eficiente en aplicaciones de alta potencia, ofreciendo una solución robusta y confiable en un encapsulado TO-220.
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Ejemplo de código
// MOSFET IRF640N con ESP32 usando PWM LEDC
// Conexion low-side: carga al positivo, MOSFET entre carga y GND.
const int MOSFET_GATE = 18;
const int PWM_CHANNEL = 0;
const int PWM_FREQ = 20000;
const int PWM_RESOLUTION = 8;
void setup() {
ledcSetup(PWM_CHANNEL, PWM_FREQ, PWM_RESOLUTION);
ledcAttachPin(MOSFET_GATE, PWM_CHANNEL);
}
void loop() {
ledcWrite(PWM_CHANNEL, 64); // 25%
delay(1000);
ledcWrite(PWM_CHANNEL, 180); // 70%
delay(1000);
ledcWrite(PWM_CHANNEL, 0); // apagado
delay(1000);
}
