Pack de 2 Transistores MOSFET IRF640N 200V 18A en Encapsulado TO-220

Información técnica

Este pack incluye 2 transistores MOSFET IRF640N de canal N, diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Cada MOSFET ofrece una baja resistencia en estado de encendido (Rds(on)) y es capaz de manejar corrientes de hasta 18A y voltajes de hasta 200V, lo que los convierte en una excelente opción para controladores de motor, fuentes de alimentación conmutadas, y otras aplicaciones de conmutación de alta potencia.

Características eléctricas:

Tipo de transistor: MOSFET de canal N Voltaje de drenaje-fuente (Vds): 200V Corriente de drenaje (Id): 18A Resistencia en estado de encendido (Rds(on)): 0.18 ohmios Voltaje de compuerta-umbral (Vgs(th)): 2.0V a 4.0V Encapsulado: TO-220 Cantidad: 2 unidades Aplicaciones:

Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) Controladores de motor Convertidores de potencia DC-DC Amplificadores de clase D Este pack de 2 MOSFETs IRF640N es ideal para proyectos que requieren conmutación rápida y eficiente en aplicaciones de alta potencia, ofreciendo una solución robusta y confiable en un encapsulado TO-220.