Potencia
Descripción Detallada Eléctrica Características: Modelo: IRFP250N Tipo de Transistor: MOSFET de Potencia de Canal N Voltaje de Drenaje-Fuente (Vds): 200V Corriente de Drenaje (Id)…
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Descripción Detallada Eléctrica Características:
Modelo: IRFP250N Tipo de Transistor: MOSFET de Potencia de Canal N Voltaje de Drenaje-Fuente (Vds): 200V Corriente de Drenaje (Id): 30A Voltaje de Puerta-Umbral (Vgs(th)): 2V - 4V Resistencia de Encendido (Rds(on)): 0.075 ohmios Capacidad de Carga de la Puerta (Qg): 230nC Disipación de Potencia (Pd): 200W Temperatura de Operación: -55°C a 175°C Encapsulado: TO-247 Descripción:
El IRFP250N es un transistor MOSFET de potencia de canal N, diseñado para manejar altas corrientes y voltajes, ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación de potencia. Este MOSFET es conocido por su baja resistencia de encendido, alta capacidad de manejo de corriente y rápida velocidad de conmutación, lo que lo hace adecuado para diversas aplicaciones electrónicas de alta potencia.
Aplicaciones Típicas:
Fuentes de Alimentación Conmutadas: Utilizado en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) debido a su alta eficiencia y capacidad de manejo de potencia. Control de Motores: Adecuado para aplicaciones de control de motores en sistemas de automatización y robótica. Amplificadores de Potencia: Utilizado en amplificadores de audio de alta potencia y otros sistemas de amplificación. Inversores y Convertidores: Ideal para inversores de energía y convertidores DC-DC. Protección de Sobrecorriente: Aplicado en circuitos de protección para evitar daños por sobrecorriente. Ventajas:
Baja Resistencia de Encendido: Minimiza las pérdidas de conducción, aumentando la eficiencia del circuito. Alta Capacidad de Manejo de Corriente: Capaz de manejar hasta 30A, adecuado para aplicaciones de alta corriente. Rápida Velocidad de Conmutación: Reduce las pérdidas de conmutación, mejorando la eficiencia energética. Alta Disipación de Potencia: Puede disipar hasta 200W, proporcionando una mayor fiabilidad en aplicaciones de alta potencia. Conexiones: Drenaje (Drain): Conectar al voltaje de carga Fuente (Source): Conectar a tierra Puerta (Gate): Conectar al controlador de señal
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Si estás armando un proyecto con Arduino, ESP32, sensores, displays o módulos de potencia, enviá placa, tensión y objetivo para confirmar que este producto sea adecuado.
// MOSFET IRFP250N como interruptor low-side con PWM
// Usar fuente externa para la carga, GND comun y resistor en gate.
const int MOSFET_GATE = 9;
void setup() {
pinMode(MOSFET_GATE, OUTPUT);
}
void loop() {
for (int duty = 0; duty <= 255; duty += 5) {
analogWrite(MOSFET_GATE, duty);
delay(25);
}
for (int duty = 255; duty >= 0; duty -= 5) {
analogWrite(MOSFET_GATE, duty);
delay(25);
}
}
